HAKUTO 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀

伯东企业上海有限公司为您提供hakuto 离子刻蚀机 20ibe-c 用于半导体晶圆刻蚀。某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 hakuto 离子刻蚀机 20ibe-c 用于半导体晶圆刻蚀.
hakuto 离子刻蚀机 20ibe-c 产品图如上图, 其主要构件包括 pfeiffer 分子泵, kri 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台.
hakuto 离子蚀刻机 20ibe-c 技术参数如下:
portant;"> 离子蚀刻机
ф4 inch x 6片
portant;"> 基板尺寸
portant;"> < ф3 inch x 8片
< ф4 inch x 6片
< ф8 inch x 1片
portant;"> 样品台
portant;"> 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转
portant;"> 离子源
portant;"> 20cm 考夫曼离子源
portant;"> 均匀性
portant;"> ±5% for 8”ф
portant;"> 硅片刻蚀率
portant;"> 20 nm/min
portant;"> 温度
portant;"> <100
hakuto 离子刻蚀机 20ibe-c 的---构件离子源采用的是伯东公司代理 考夫曼博士创立的 kri考夫曼公司的射频离子源 rficp220
伯东 kri 射频离子源 rficp 220 技术参数:
portant;"> 离子源型号
portant;"> rficp 220
portant;"> discharge
portant;"> rficp 射频
portant;"> 离子束流
portant;"> >800 ma
portant;"> 离子动能
portant;"> 100-1200 v
portant;"> 栅极直径
portant;"> 20 cm φ
portant;"> 离子束
portant;"> ---, 平行, 散射
portant;"> 流量
portant;"> 10-40 sccm
portant;"> 通气
portant;"> ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
portant;"> 典型压力
portant;"> < 0.5m torr
portant;"> 长度
portant;"> 30 cm
portant;"> 直径
portant;"> 41 cm
portant;"> 中和器
portant;"> lfn 2000
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
hakuto 离子刻蚀机 20ibe-c 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工.
运用结果：
1. 有效去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率
2. 晶圆的均匀度得到---提高
3. 晶圆的加工得到明显提高
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