KRI 离子源用于离子束溅射镀制 GE 纳米薄膜的研究

伯东企业上海有限公司为您提供kri 离子源用于离子束溅射镀制 ge 纳米薄膜的研究。在硅衬底上生长 ge ---点呗认为是可能实现 si 基发光的重要途径, 对 si 基光电子、微电子或单电子器件有重要影响.
某研究所采用伯东 kri 离子源用于离子束溅射镀制 ge 纳米薄膜的研究.
该研究采用的是 fjl560 iii 型真空多靶磁控与离子束联合溅射设备的离子束溅射室内制备样品, 生长室的本底真空度低于 4x10-4pa.
其系统工作示意图如下：
该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、离子源、溅射靶、基片台等部分组成.
用于溅射的离子源采用伯东的 kri ---型射频离子源 380, 其参数如下:
伯东 kri ---型射频离子源 rficp 380 技术参数：
portant;"> 射频离子源型号
portant;"> rficp 380
portant;"> discharge 阳极
portant;"> 射频 rficp
portant;"> 离子束流
portant;"> >1500 ma
portant;"> 离子动能
portant;"> 100-1200 v
portant;"> 栅极直径
portant;"> 30 cm φ
portant;"> 离子束
portant;"> ---
portant;"> 流量
portant;"> 15-50 sccm
portant;"> 通气
portant;"> ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
portant;"> 典型压力
portant;"> < 0.5m torr
portant;"> 长度
portant;"> 39 cm
portant;"> 直径
portant;"> 59 cm
portant;"> 中和器
portant;"> lfn 2000
理由：
---型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
生长室的本底真空度低于 4x10-4pa, 经采用伯东泵组 hicube 80 pro, 其技术参数如下：
分子泵组 hicube 80 pro 技术参数:
portant;"> 进气法兰
portant;"> 氮气抽速
n2, l/s
portant;"> ---真空 hpa
portant;"> 前级泵
型号
portant;"> 前级泵抽速
m3/h
portant;"> 前级真空
安全阀
portant;"> dn 40 iso-kf
portant;"> 35
portant;"> < 1x10-7
portant;"> pascal 2021
portant;"> 18
portant;"> avc 025 ma
运行结果：
得到了尺寸较均匀的 ge 岛, 岛的数量也很多.
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