射频离子源RFICP 220用于透明导电薄膜及性能研究试验

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伯东企业上海有限公司为您提供射频离子源rficp 220用于透明导电薄膜及性能研究试验。某实验室运用直流磁控溅射法, 采用 zao 陶瓷靶材, 结合正交试验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数, 在普通玻璃衬底上制备得到zno: alzao透明导电薄膜.
试验设备:
伯东 kri ---射频离子源 rficp 220 进行溅射, 选用 zao 陶瓷靶, 基片为普通玻璃, 普发 pfeiffer 旋片泵 duo 3.
工艺要求:
靶与基片距离为5cm, 溅射时间为30 min
伯东 kri ---型射频离子源 rficp 220 技术参数:
portant;"> 离子源型号
portant;"> rficp 220
portant;"> discharge
portant;"> rficp 射频
portant;"> 离子束流
portant;"> >800 ma
portant;"> 离子动能
portant;"> 100-1200 v
portant;"> 栅极直径
portant;"> 20 cm φ
portant;"> 离子束
portant;"> ---
portant;"> 流量
portant;"> 10-40 sccm
portant;"> 通气
portant;"> ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
portant;"> 典型压力
portant;"> < 0.5m torr
portant;"> 长度
portant;"> 30 cm
portant;"> 直径
portant;"> 41 cm
portant;"> 中和器
portant;"> lfn 2000
理由:
---型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
在整个实验工艺中工作气压保持在 3x 10-1pa, 因此采用伯东 pfeiffer 旋片泵 duo 3.
伯东 pfeiffer 旋片泵 duo 3 技术参数如下:
伯东是德国 pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, kri 考夫曼离子源, 美国hva 真空阀门, 美国 intest 高低温冲击测试机, 美国 ambrell 感应加热设备和日本 ns 离子蚀刻机等进口知---的---.
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