150度读写存储器介绍-合肥(在线咨询)-读写存储器

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随着技术的发展,“只读”这个“传统”的概念有时是可以被一些新特性的器件颠覆的。比如下面这两种类型的rom就可以使用适当的方法进行擦除或改写:

eprom:与一般的rom不同在于,它可用特殊的装置擦除或重写其中的内容。

flash:闪速存储器,是完全非易失的,可以在线写入,并且可以按页连续字节写入,读出速度快。



200度flash存储器
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只读存储器的内容由可编程逻辑控制器制造商编写并固化。plc断电后,rom的内容不会丢失。用户只能阅读,不能重写。因此,rom常用来存储系统程序,具有开机自检、键盘输入处理、用户程序翻译、信息传输、工作模式选择等功能。


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eeprom单元坏与-界线很是模糊。 eeprom单元能写入信息是因为它的浮栅能-电子并将其困在其中。 但随着时间的推移电子由于热运动或外界给予能量会逐渐逃逸, 所以说eeprom保持信息是有一定年限的比如100年。写入与擦除信息即是向浮栅注入和释放电子,电子能量比较高,可能改变周围的晶格结构,导致浮栅-电子能力的下降,也就是表现为保存信息的时间变短, 所以才会有一个保守的写入次数-这里说保守是因为半导体的离散性大,读写存储器,实际的次数大得多。 到了规定写入次数并不是说该单元就坏了, 而是说该单元保持信息的时间已不可-而实际上它可能还能保存相当长时间甚至几十上百年,所以实际上短时间很难判定某个单元是否可用坏了。 如匠人的方法检测, 写入时测试好好的, 可能几秒钟之后该单元的数就逃了。


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