LED发光二极管芯片的特点分析

一、mb芯片

定义：metalbonding(金属粘着)芯片;该芯片属于uec的-产品。

特点：

1：采用高散热系数的材料---si作为衬底、散热容易。

2：通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。

3:导电的si衬底取代gaas衬底，具备---的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。

4:底部金属反射层、有利于光度的提升及散热

5:尺寸可加大、应用于highpower领域、eg:42milmb

二、gb芯片

定义：gluebonding(粘着结合)芯片;该芯片属于uec的-产品

特点：

1：透明的蓝宝石衬底取代吸光的gaas衬底、其出光功率是传统as芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似ts芯片的gap衬底。

2：芯片四面发光、具有---的pattern

3：亮度方面、其整体亮度已超过ts芯片的水准(8.6mil)

4：双电极结构、其耐高电流方面要稍差于ts单电极芯片

三、ts芯片

定义：transparentstructure(透明衬底)芯片、该芯片属于hp的-产品。

特点：

1：芯片工艺制作复杂、远高于asled

2：---性---

3：透明的gap衬底、不吸收光、亮度高

4：应用广泛

四、as芯片

定义：(吸收衬底)芯片;

经过近四十年的发展努力、台湾发光二级管光电业界对于该类型芯片的研发﹑生产﹑销售处于成熟的阶段、各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水准、差距不大。

---芯片制造业起步较晚、其亮度及---度---业界还有一定的差距、在这里我们所谈的as芯片、特指uec的as芯片、eg:712sol-vr,709sol-vr,712sym-vr,709sym-vr等

特点：

1：四元芯片、采用movpe工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮

2：---性优良

3：应用广泛

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