各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定，其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下，金属特性往往为杂质所掩盖。溅射靶材的要求较传统材料行业高，一般要求如，尺寸、平整度、纯度、各项杂质含量、密度、n/o/c/s、晶粒尺寸与缺陷控制。不仅是半导体材料，其他金属也有同样的情况，由于杂质存在影响金属的性能。
钨过去用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，在适当提纯之后，这种缺点即可以克服钨丝也有掺杂及加工问题。
根据电解质的种类可分为氯化物熔盐体系和---物-氧化物熔盐体系电解法，多用于制取以---为主的混合稀土金属以及---、镨、---等单一稀土金属。熔盐电解法为连续性生产过程，产量较大，设备简单，成本较低，但电解槽需用耐高温氯化物或---物腐蚀的结构材料制造。但热压法生产的ito靶材由于缺氧率高，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ito薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。
还原制得含稀土99%的稀土金属经真空精炼(包括真空蒸馏或升华)、电传输、区域熔炼、熔盐电解精炼等方法处理除去非稀土杂质后，可获得纯度超过99.9%的稀土金属产品。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，-地满足了各种新型电子元器件发展的需求。背靶材料：无氧铜(ofc)–目前常使用的作背靶的材料是无氧铜，因为无氧铜具有-的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。
在被溅射的靶极阴极与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体通常为ar气，磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。
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