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化学气相沉积的特点

化学气相沉积工艺是，将加热的模具暴露在发生反应的混合气氛真空度≤1pa中，使气体与模具表面发生反应，在模具表面上生成一层薄的固相沉积物，如金属碳化物、氮化物、硼化物等。这里有两个关键因素：

一是作为初始混合气体气相与基体固相界面的作用，也就是说，各种初始气体之间在界面上的反应来产生沉积，或是通过气相的一个组分与基体表面之间的反应来产生沉积。

二是沉积反应必须在一定的能量条件下进行。一般情况下，产生气相沉积的化学反应必须有足够高的温度作为条件，在有些情况下，可以采用等离子体或激光辅助作为条件，降低沉积反应的温度。

1化学气相沉积cvd反应温度一般在900~1200℃，中温cvd例如mocvd金属有机化合物化学气相沉积，反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

“辅助”cvd的工艺较多，主要有：

电子辅助cvdeacvd也称为电子束辅助cvd，电子增强cvd，或电子束-cvd，涂层的形成在电子作用下得到改进。

激光辅助cvdlacvd)，也称为激光cvd或光子辅助cvd，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。

热丝cvd，也称为热cvd，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。

金属有机化合物cvdmocvd，是在一种有机金属化合物气氛这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解中进行沉积。

在过去的几十年中，考虑到计算机数控cnc加工工艺的-发展，pvd沉积技术的发展基本上集中在工具的涂层上，因为已经出现了新的加工方法。

pvd技术是一种薄膜沉积工艺，其中涂层在原子上逐个原子生长。pvd需要从通常称为目标的固体源中雾化或汽化材料。薄膜通常具有与几个微米的薄膜一样薄的厚度，该厚度与某些原子层一样薄。该过程导致表面和基板与沉积材料之间的过渡区的特性改变。另一方面，膜的性质也可受基材的性质影响。