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所谓光刻,根据---的定义,这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用---和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。影响显影的效果主要因素:1,---时间,2前烘温度和时间,3光刻胶膜厚,4显影液浓度温度,5显影液的搅动情况。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、sos中的蓝宝石。
光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂或称光刻胶感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
光刻胶
光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成,又被称为光致抗蚀剂,这是一种对光非常敏感的化合物。光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%,耗时占整个芯片工艺的40%~60%,是半导体制造中---的工艺。此外,光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光---后,它在显影液中的溶解度会发生变化。
分类
根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。
正胶
---前对显影液不可溶,而---后变成了可溶的,能得到与掩模板遮光区相同的图形。
优点:分辨率高、对比度好。
缺点:粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。
灵敏度:---区域光刻胶完全溶解时所需的能量
负胶egative
photo resist
与正胶反之。
优点: ---的粘附能力和抗刻蚀能力、感-度快。
缺点: 显影时发生变形和膨胀,导致其分辨率。
灵敏度:保留---区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。
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