氮化硅材料刻蚀加工平台-半导体镀膜-湖南材料刻蚀加工平台

mems材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要-半导体产业发展的应用技术研究，-重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

干法刻蚀用于-的图形转移。目前我国刻蚀工艺以及刻蚀设备相对于光刻而言，已经能够达到较为-的水平。能够达到较高的刻蚀选择性、-的尺寸控制、低面比例依赖刻蚀和-的等离子体损伤。

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mems材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要-半导体产业发展的应用技术研究，-重大技术应用的基础研究，氮化硅材料刻蚀加工平台，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀加工平台，以及行业应用技术开发。

电子回旋加速振荡等离子体刻蚀设备主要应用于金属互连线、通孔、接触金属等环节。金属互连线通常采用铝合金，对铝的刻蚀采用氯基气体和部分聚合物。钨在多层金属结构中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基气体。

刻蚀通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。从难度上讲，硅刻蚀难，其次介质刻蚀，的是金属刻蚀。