mems材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要-半导体产业发展的应用技术研究，-重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
电子回旋加速振荡等离子体刻蚀设备主要应用于金属互连线、通孔、接触金属等环节。金属互连线通常采用铝合金，对铝的刻蚀采用氯基气体和部分聚合物。钨在多层金属结构中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基气体。
刻蚀通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。从难度上讲，硅刻蚀难，台湾材料刻蚀多少钱，其次介质刻蚀，的是金属刻蚀。
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化学蚀刻与物理蚀刻的不同之处在于，它利用等离子体内产生的反应物质与基板材料之间的化学反应。常见的化学蚀刻类型涉及卤化物化学，其中氯或氟原子是蚀刻过程中的活性剂。蚀刻工艺的代表性化学物质是使用 nf3进行硅蚀刻。此蚀刻过程中的化学反应顺序为：
nf 3 + e - *** ? nf 2 + f ? + e -si(s) +4f ? *** sif 4 ↑
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多晶硅刻蚀：
在901e刻蚀机中刻蚀，刻蚀机内通入的气体有：sf6。
玻璃腐蚀：
1、 配制5%hf溶液，感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀多少钱，
配制腐蚀液：5%hf溶液：h2o=3：50；
2、常温下，氮化镓材料刻蚀多少钱，将硅片放入腐蚀液中浸泡；
3、在溢流槽中冲洗；
4、冲纯水；
5、甩干。
湿法去胶：
铝淀积前去胶在sh去胶机湿法腐蚀机中进行，采用sh溶液将胶氧化的方法去胶，具体步骤为：
1、在sh清洗剂98%h2so4：h2o2=3：1中浸泡；
2、在温纯水中溢流冲水；
3、在溢流槽中溢流冲水；
4、甩干。
由于酸对铝有腐蚀作用，淀积铝后去胶就不能用酸，在此采用omr502剥离液去胶，在omr剥离清洗机中进行，具体步骤为：
1、在剥离液omr-83剥离液中浸泡去除光刻胶；
2、再在h-1清洗剂中浸泡去除剥离液；
3、在中浸泡去除h-1清洗剂；
4、冲纯水；
5、甩干。
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