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超纯金属的检测方法-困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级10克/克、毫微克级10克/克、微微克级10克/克杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析，原子吸收光谱分析，荧光分光光度分析，质谱分析，化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起-影响，称为物理杂质，-复合材料厂，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。
钨-钛w-ti膜以及以钨-钛w-ti为基的合金膜是高温合金膜，沈阳-复合材料，具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，w/ ti 合金具有低的电阻系数、-的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如al 、cu 和ag 等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应，与介质层的粘结性差，-复合材料加工，易扩散进入si 与sio2 等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与si 的化合物， 充当了杂质的角色，使器件的性能大幅度下降。
在所有应用产业中，-复合材料谁家好，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸300衄口的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有-的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系-，过99.995%4n5纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
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