振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：-回收硅片，光伏电池板，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，el，-测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，-偿还，返工，光伏模块回收等。
影响因素
1 ．频率
射频 pecvd 系统大都采用 50khz~13.56 mhz 的工业频段射频电源。较高频率 >;4mhz 沉积的氮化硅薄膜具有-的钝化效果和稳定性。
2 ．射频功率
增加 rf 功率通常会- sin 膜的。但是，功率密度不宜过大，超过 1w/cm2 时器件会造成-的射频损伤。
3 ．衬底温度
pecvd 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能-氮化硅薄膜在hf 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有-的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 ．气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 sih4 。为了防止富硅膜，选择nh3/sih4=2~20 体积比。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以-沉积的均匀性。
5 ．反应气体浓度
sih4 的百分比浓度及 sih4/nh3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。
理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 sin 。因此，必须控制气体中的 sih4 浓度，不宜过高，并采用较高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。
6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
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电池片流程
1、 车间段位构成
whq ：硅片为太阳能电池片的载体，硅片的决定了电池片的转换效率。而该工序则是对硅片的来料检测，主要是包括厚度， ttv ，电阻率，外观 破片，缺角，孔洞，脏污
需注意 :
1) 切割方向会厚薄不均，放片时需 180 度错落放置以-放入载体厚薄均匀，切割方向需要垂直与印刷 细 栅方向，预防水波纹出现。
2) 线痕： 单线痕
密集线痕
3 原硅片因切割后因有清洗所以会有粘度导致原硅片粘连，放置时需轻微摇晃。
制绒： 目的：去除表面损伤层，对表面进行凹凸处理 ，清楚表面硅酸钠，氧化物，油污以及金属。以提高光电转换率。
需注意 :
减重 ，活性不均匀会影响到后面 pevcd 工序使硅片出现问题制绒过程中， 制绒面朝下，装入载体，载体单孔面为制绒面。在制品时间为两小时，两小时内要及时送入下一工序。
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丝网印刷
基本原理
基本原理：利用网版图文部分网孔透墨，非图文部分网孔不透墨的基本原理进行印刷。印刷时在网版上加入浆料，刮胶对网版施加一定压力，同时朝网版另一端移动。浆料在移动中从网孔中挤压到承印物上，由于粘性作用而固着在一定范围之内。由于网版与承印物之间保持一定的间隙，网版通过自身的张力产生对刮胶的回弹力，使网版与承印物只呈移动式线接触，而其它部分与承印物为脱离状态，浆料与丝网发生断裂运动，-了印刷尺寸精度。刮胶刮过整个版面后抬起，同时网版也抬起，并通过回墨刀将浆料轻刮回初始位置，完成一个印刷行程。
丝网结构
网版，刮胶，浆料，印刷台，承印物
浆料体系
银铝浆：背面导体，作为背电极，提供可焊性。
铝浆：背面导体，作为背面电场，收集电流。
银浆：正面导体，作为正电极，收集电荷。
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