蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。
为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。生长掺杂的gaalas单晶层的分子束外延装置如图2[ 分子束外延装置示意图]。喷射炉中装有分子束源，轮毂陀螺指环扣厂商，在真空下当它被加热到一定温度时，轮毂陀螺指环扣，炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜较慢生长速度可控制在1单层／秒。通过控制挡板，轮毂陀螺指环扣，可---地做出所需成分和结构的单晶薄膜。
如今在许多电镀加工厂中相对于传统的电镀工艺，真空电镀加工技术具有三大长处：
一：堆积资料广泛：可堆积铝、钛、锆等湿法电镀无法堆积的低电位金属，通以反响气体和合金靶材更是能够堆积从合金到陶瓷甚至是金刚石的涂层，并且能够根据需要规划涂层系统。
二：节省金属资料：因为真空涂层的附着力、致密度、硬度、耐腐蚀功能等适当优良，堆积的真空电镀镀层能够远远小于惯例湿法电镀镀层，到达节省的意图。
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