芯片层面：
一直以追求高的发光效率为led芯片技术发展的动力。倒装技术是目前获取大功率led芯片的主要技术之一，衬底材料中蓝宝石和与之配套的垂直结构的激光衬底剥离技术(llo)和新型键合技术仍将在较长时间内占统治-。
但在不久的将来，采用金属半导体结构，什么的路灯，---欧姆接触，提高晶体，---电子迁移率和电注入效率，路灯灯杆，同时通过led芯片外形表面粗化和光子晶体，高反射率镜面，透明电极---提取光效率，那时白光led的总效率可达到52%。
随着led光效的提高，一方面芯片越做越小，在一定大小的外延片上可切割的芯片数越来越多，从而降低单颗芯片的成本，另一方面单芯片功率越做越大，如现在是3w，将来会往5w、10w发展。这对有功率要求的照明应用可以减少芯片使用数，降低应用系统的成本。
总之，倒装法、高电压、硅基氮化仍将是半导体照明芯片的发展方向。
三、设备蓄电池、地埋蓄电池箱
蓄电池埋设处不能有积水状况发作。地埋蓄电池箱前应先挖作业坑，尺度一般为1米*1米*1米或(长度和宽度因蓄电池地埋箱标准而异，-因地区各异，要-在当地冻层以下)。开挖后要用地线探察地下有无障碍物及地下管线，如有应平稳让开，切忌野蛮施工。检测蓄电池电压高于12。6伏(12伏系统)的为合格，苏州路灯，然后将蓄电池水平放置在蓄电池箱内，将其固定健壮，-电池端子亮光无污，-时用钢丝刷或砂纸将端子打磨亮光，健壮的接好蓄电池输出电线(正、负极分隔)，两根电线外套一根钢丝软管，再套于蓄电池箱的穿线嘴上(重合长度约25毫米)，并选用双钢丝式环箍居中紧固。做好防水、防腐、防短路、保温处理，然后盖好蓄电池箱上盖，做防水处理。作业坑挖好后开端埋蓄电池箱，找好蓄电池箱的水平度，预埋穿线管(保护管)内径不得小于所穿钢丝软管外径的1。5倍，保护管有弯曲时不得小于2倍，避免死弯。保护管不得有穿孔、裂缝和凸凹不平的缺点，内壁应光滑刺，内无杂物。钢丝软管由下向上穿出地面，设备完毕后回填土方恢复路面原样，将施工场所整理洁净。
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