迪一电子提供技术支持-压瓷介电容10KV

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同方迪一解析瓷片电容的esr


电源的设计是决定了整个系统的性能和成本,很多时候大家都会忽略这个点。本文小编跟大家浅谈瓷片的esr。电容的参数是有很多的,在设计中c和esr是很重要的,

c代表:电容容值。一般是指在1khz,1v 等效ac电压,直流偏压为0v情况下测到的,也可有很多电容测量的环境不同。但有一点需注意,电容值c本身是会随环境发生改变的。

esr指的是电容等效串联电阻。无论哪种电容都会有一个等效串联电阻,当电容工作在谐振点频率时,电容的容抗和感抗大小相等,于是等效成一个电阻,这个电阻就是esr。因电容结构不同而有很大差异。铝电解电容esr一般由几百毫欧到几欧,瓷片电容一般为几十毫欧,钽电容介于铝电解电容和瓷片电容之间。

瓷片电容存放电靠的是物理反应,因而具有---的响应速度,可以应用到上g的场合。不过,瓷片电容因为介质不同,也呈现很大的差异。性能c0g材质的电容,清远瓷介电容10kv,温度系数小,不过材质介电常数小,所以一般来说容值不可能做太大。性能z5u/y5v材质,这种材质介电常数大,容值能做到几十微法。瓷片电容可以用作退耦电容,压瓷介电容10kv,退耦电容需要满足两个要求,一个是容量需求,另一个是esr需求。




同方迪一带你了解高压陶瓷电容的失效和击穿

无论在雨季潮湿天气还是阳光天气下,存储陶瓷电容器是有要求的。因为空气中湿度过高时,水膜凝聚在电容器外壳表面,可使电容器的表面绝缘电阻下降。此外,对于半密封结构电容器来说,水分还可渗透到电容器介质内部,使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此,高温、高湿环境对陶瓷电容器参数恶化的影响为。

陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时,发生击穿失效是比较普遍的---问题。所发生的击穿现象大约可以分为介质击穿和表面间飞弧击穿两类。介质击穿按发生时间的早晚又可分为早期击穿与老化击穿两种,早期击穿暴露了电容介质材料与生产工艺方面存在的问题,这些问题导致陶瓷介质介电强度降低,以于在高湿度环境的电场作用下,电容器在耐压试验过程中或工作初期,就产生电穿。

失效和电穿是我们在日常中需要注意的问题,有任何电容器上的疑问要咨询正规厂家。东莞市智旭电子安规电容厂家,已经通过iso9001:2015管理体系;安规电容器x电容及y 电容,压敏电阻器通过各国,陶瓷电容器,薄膜电容器均符合指标。





同方迪一讲述瓷片电容技术参数的发展历程


1900年意大利l.隆巴迪发明陶瓷介质电容 ;

30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数---增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容 ;

1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数 的主要原材料batio3(钛酸钡)具有绝缘性后,压瓷介电容10kv,开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又---的-用电子设备当中。

1960年左右陶瓷叠片电容 作为商品开始开发。

1970年,随着混合ic、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件,而其中技术参数也是学者们研究的重点。

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容 市场的70%左右。





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