3、刻蚀
在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，p-n结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到p-n结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了p-n结短路并且造成并联电阻降低。
湿法刻蚀工艺流程：上片***蚀刻槽h2so4hno3hf***水洗***碱槽koh***水洗***hf槽***水洗***下片
hno3反应氧化生成sio2，hf去除sio2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为koh；h2so4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。
干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，客退太阳能板电池板回收，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。
隐裂、热斑、pid效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。
2. “隐裂”对组件性能的影响
晶硅太阳能电池的结构如下图所示，电池片产生的电流主要靠表-互垂直的主栅线和细栅线收集和导出。因此，当隐裂多为平行于主栅线的隐裂导致细栅线断裂时，电流将无法被有效输送至主栅线，从而导-池片部分乃至整片失效，还可能造成碎片、热斑等，同时引起组件的功率衰减。
垂直于主栅线的隐裂几乎不对细栅线造成影响，因此造成电池片失效的面积几乎为零。
而正处于快速发展的薄膜太阳能电池，由于其材料、结构特性，不存在隐裂的问题。同时其表面通过一层透明导电薄膜收集和传输电流，即使电池片有小的瑕疵造成导电膜，也不会造成电池大面积失效。
有研究显示，组件中如果某个电池的失效面积在8%以内，则对组件的功率影响不大，并且组件中2/3的斜条纹隐裂对组件的功率没有影响。所以说，虽然隐裂是晶硅电池常见的问题，但也不必过度-。
4、pecvd
等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率-35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收，有助于提高光生电流，进而提高转换效率：另一方面，薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小暗电流，提升开路电压，提高光电转换效率。h能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。
在真空环境下及480摄氏度的温度下，通过对石墨舟的导电，使硅片的表面镀上一层sixny薄膜。
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