高熵合金真空镀膜工艺-半导体研究所-河北高熵合金真空镀膜

低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一

 pecvd：是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种cvd称为等离子体增强化学气相沉积(pecvd).实验机理：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。基本温度低；沉积速率快；成膜-，较少，不易龟裂。磁控溅射主要利用辉光放电(glowdischarge)将气(ar)离子撞击靶材(target)表面，靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好，但是镀膜速度却比蒸镀慢比较多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的气离子化，造成靶与气离子间的撞击机率增加，提高溅镀速率。