在有机物的污染膜等的情况下，大的是湿清洗，微细的是光uv清洗
结合清洗方法可以大大提高清洗效果。
分子单位的污垢是光，比它大的用湿法清洗。
1粒子虽然只是单纯的垃圾，但是看不见的水平>;从空气中等附着的垃圾。
多μm，物镜镜筒，0.1μm级。
2金属系的污染>;从人体蒸发的汗中含有的钠分子
药液类中含有的微量重金属原子等。即使是分子系，钠等也容易成为与其他物质合成物
用湿式清洗可以去除的情况很多。
3有机污染＝碳成分>;人的头屑和污垢中含有的碳、药液中含有的微量碳分子、
-等。
4油脂>;人的体表、汗水、指纹等所含的油分等。
5自然氧化膜>;物质表面与-中的氧结合形成1～2nm的氧化膜
空气中的杂质混入而造成污染。
duv/euv光刻
光刻技术是用激光将图案等烧成技术，用于半导体或液晶面板的基板制造
被使用，那个uv照射被使用的是duv：波长200nm左右的紫外线。
用密的东西能蚀刻数十nm～百数十nm左右的图形。
另外，作为下一代的有希望的技术，被称为extreme ultraviolet简称euv的13.5nm等
使用波长极短的“超紫外线”的光刻也有被称为极紫外光光刻：extremeultraviolet lithography:euvl的情况中，duv远紫外线光刻的
因为使用了20分之1左右波长的光线，所以可以使图案微细。
＊装载这样精密电路的底座的清洗，用以往的湿式清洗是来不及的
同时使用uv光清洗。
1.业界！新构思的装置内设置单元
照射头·散热片·控制器成为一体的装置内设置的照射单元，根据来自定序器的信号控制。散热片上设有安装孔，可简单安装机器人机械臂、机箱等。
2.高功率照射
照射4000mw/?以上***1、7000mw/?以上***210000mw/?以上高功率紫外线365nm输出。
因为在独自开发的角型散热片上设置了led，所以散热效率-，即使是30分钟的全功率点灯，uv输出也
几乎不衰减。
3.低运行成本
使用led的寿命，假设连续点亮的估计时间为30000小时。与传统的灯方式相比，m-1a物镜镜筒，是7.5倍以上。同时，灯方式需要连续点灯，不过，led的情况，成为实际的点灯时间，zl-90物镜镜筒，根据点灯频度更长寿命，能大幅度削减运行成本。
4.的散热结构的照射头
由于独自开发的无基板构造和铝纵型散热片的使用，散热效果-，所以即使在100%的照射功率下使用30分钟以上，照射强度也几乎没有变化。可以进行非常稳定的照射。
5.外部序列发生器控制的简单功能
作为外部定序器控制类型，装备了低限度的功能。
功能列表
●照射功率选择：音量设定/外部0～5v模拟设定
●外部照射输入/停止输入
●照射中输出
6.低成本
通过的设计理念和简化，实现了低成本。
*照射波长除365nm外，还可制作385nm。
***1ulel-4聚光直径φ4mm使用透镜时的中心强度。100%光量点亮时
***2ulel-3聚光直径φ3mm使用镜头时的中心强度100%光量点亮时
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