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一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。g：gate 栅极；s：source 源极；d：drain 漏极。mos管的source源极和drain耗尽层是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为pmos管p沟道型和nmosn沟道型管，中低压mos公司，属于绝缘栅场效应管。

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mos管有的时候也称作绝缘栅场效应管，因为它归属于场效应管中的绝缘栅型，中低压mos，全名是金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，中低压mos万芯半导体，是一种能够普遍应用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。依据其“通道”(工作载流子)的极性差异，可分成“n型”与“p型”的两个类型，也就是常说的nmos、pmos。