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而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6n以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及-的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。
为了解决以上这些问题，-靶材生产加工，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能-。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括ta、w、tasi、wsi等．但是ta、w都是难熔金属．制作相对困难，-靶材工艺，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
为了形成高图像，聚合-被广泛使用，-靶材厂家，以代替惯常使用的粉碎-。聚合-允许点的，-靶材，从而-地由数字信息获得印刷物，由此得到高的印刷物。0003和改进形成精细分配的-颗粒、使-粒径均一、使-颗粒呈球形的技术、以及从粉碎-到聚合-的转变相一致地，在电子成像装置比如激光束打印机等的成像装置中，需要开发出一种导电辊，其赋予-以高静电充电特性。
任何金属都不能达到纯。“超纯”具有相对的含义，是指技术上达到的标准。
由于技术的发展，也常使 “超纯”的标准升级。“超纯”的相对名词是指“杂质”，广义的杂质是指化学杂质元素及“物理杂质”晶体缺陷，后者是指位错及空位等，而化学杂质是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。
但只当金属纯度达到-的标准时如纯度9以上的金属，物理杂质的概念才是有意义的，因此目前工业生产的金属仍是以化学杂质的含量作为标准，即以金属中杂质总含量为百万分之几表示。
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