电子芯片和
1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm这个量级，但同样大小的集成电路里面有非常复杂的电路常说的7nm/10nm工艺，ic设计和制造一样为非常复杂高难度的工程，led外延片价格，由此衍生既像intel、三星这样设计制造一体的公司，也有高通、苹果这样的fabless公司及台积电这样的代工厂；而分立器件一颗die就是独立的一个发光源再加上正负电极，里面的制程可能100um/10um级就够了，制造工艺流程也简单很多，led外延片批发，从头到尾一百次左右工序就差不多了。更谈不上独立的led ic设计公司。
2，芯片制造厂对清洁和低缺陷率要求-，前者可能影响性能，缺陷多了，载流子移动速度上不来，如同一批货，有的能跑2.8ghz频率，led外延片多少钱，有的只能跑2g以下；led芯片对发光层缺陷率的要求比硅器件还要高几个数量级印象中数据，否则-影响发光效率，也就是很大部分能量以热能形式损失掉了。led技术和产品已有几十年历史，但-使用如液晶屏幕背光是这二十年来的事情，材料不行导致发光效率低是首要原因。
1.lpe：liquid phase epitaxy(液相磊晶法) gap/gap
2.vpe：vapor phase epitaxy(气相磊晶法) gaasp/gaas
3.movpe：metal organic vapor phase epitaxy (有机金属气相磊晶法) algainp、gan
4.sh：gaalas/gaas single heterostructure(单异型结构)gaalas/gaas
5.dh：gaalas/gaas double heterostructure(双异型结构) gaalas/gaas
6.ddh：gaalas/gaalas double heterostructure(双异型结构) gaalas/gaalas
衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- n型gan 层生长- 多量i子阱发光层生- p 型gan 层生长- 退火- 检测光荧光、x 射线 - 外延片；
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- n 型电极镀膜、退火、刻蚀 - p 型电极镀膜、退火、刻蚀 - 划片- 芯片分检、分级
具体介绍如下：
固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，广州led外延片，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
分档检测：为-硅片的规格和，对其进行检测。此处会产生废品。
研磨：用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效-单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。
清洗：通过有机i溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。
rca清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
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