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气体传感器阐述sno2薄膜气敏器件因具有-的稳定性、能在较低的温度下工作、检验气体种类多、工艺成熟等优点,是目前的主 品。此外,fe2o3也是目前广泛应用和研究的材料。除了传统的sno、sno2和fe2o3三大类外,目前又研究开发了一批新型材料,包括单一金属氧化物材料、复合金属氧化物材料以及混合金属氧化物材料。这些新型材料的研究和开发,大大提高了气体传感器的特性和应用范围。
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气体传感器种类按计算,在sno2中加入3~5%的tho2,5%的sm2.在600℃的h2气氛中烧结,制成厚膜器件,工作温度为400℃。则可作为co检测器件。上图右图是烧结温度为600℃时气敏器件的特性。可看出,工作温度在170~200℃范围内,对h2的灵敏度曲线呈抛物线,而对co改变工作温度则影响不大,因此,利用器件这一特性可以检测h2。而烧结温度为400℃制成的器件,工作温度为200℃时,对h2、co的灵敏度曲线形状都近似呈直线,但对co的灵敏度要高得多,可以制成对co敏感的气体传感器。
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气体传感器定做4、稳定性实际应用中,存在ut随时间漂移的特性,为此,采用在hcl气氛中生长一层sio2绝缘层,可以--ut的漂移。除氢气外,其他气体不能通过钯栅,制作其他气体的pd—mosfet气敏传感器要采用一定措施,如制作co敏mosfet时要在钯栅上制作约20nm的小孔,就可以允许co气体通过。另外,由于pd—mosfet对氢气有较高的灵敏度,而对co的灵敏度却较低,为此可在钯栅上蒸发一层厚约20nm的铝作保护层,阻止氢气通过。钯对氨气分解反应的催化作用较弱,为此,要先在sio2绝缘层上沉淀一层活性金属,如pt、ir、la等。再制作钯栅,可制成氨气敏mosfet。
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