铌酸锂电光相位调制器具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压、高损伤光功率等特点，主要用于高速光通信系统中光啁啾控制，干涉型电光调制器，相干通信系统中的相移，rof系统中边带的产生以及减小模拟光纤通信系统中的受激布理渊散射(sbs)等领域。
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铌酸锂调制器利用铌酸锂晶体的电光效应并结合光电子集成工艺制作而成，因其具有高响应速度，10g电光调制器，低插入损耗以及低半波电压倍广泛应用在光纤通信，共振型电光调制器，微波光子，光纤传感等领域。今天我们介绍一下铌酸锂晶体的电光效应及应用。
铌酸锂晶体为负单轴晶体(no>;ne)，属于三角晶系，具有3m点群对称操作。图1描述了其晶胞结构及物理坐标系的选取。
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电光调制器作为光纤链路里必不可少的器件，其性能的优略---影响着系统信号的发射和接收。目前市场上使用普遍的主要是电光调制器eom和电吸收调制器eam。电光调制器，特点：插入损耗小、消光比高，调制-和带宽大。
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