兴之扬蚀刻不锈钢网片小编来向大家说说电浆干法蚀刻制程参数：
电浆蚀刻制程参数一般包括了射频(rf)功率、压力、气体种类及流量、蚀刻温度及腔体的设计等因素，而这些因素的综合结果将直接影响蚀刻的结果。
射频(rf)功率是用来产生电浆及提供离子能量的来源，因此功率的改变将影响电浆中离子的密度及撞击能量而改变蚀刻的结果。压力也会影响离子的密度及撞击能量，另外也会改变化学聚合的能力；蚀刻反应物滞留在腔体内的时间正比于压力的大小，一般说来，延长反应物滞留的时间将会提高化学蚀刻的机率并且提高聚合速率。气体流量的大小会影响反应物滞留在腔体内的时间；增加气体流量将加速气体的分布并可提供更多未反应的蚀刻反应物，因此可降低负载效应(loadingeffect)；改变气体流量也会影响蚀刻速率。原则上温度会影响化学反速率及反应物的吸附系数(adsorptioncoefficient)，提高芯片温度将使得聚合物的沉积速率降低，导致侧壁的保护减低，但表面在蚀刻后会较为干净；增加腔体的温度可减少聚合物沉积于管壁的机率，以提升蚀刻制程的再现性。晶圆背部---气循环流动可控制蚀刻时晶圆的温度与温度的均匀性，以避免光阻烧焦或蚀刻轮廓变形。其它尚须考虑的因素还有腔体的材质，一般常见的材质包含铝、陶瓷、石英、硅及石墨等，不同的腔体材质会产生不同的反应产物并会改变蚀刻的直流偏压。
兴之扬蚀刻电视304不锈钢网小编来给大家讲解什么是干法蚀刻：
电浆干法蚀刻主要应用于集成电路制程中线路图案的定义，通常需搭配光阻的使用及微影技术，其中包括了1)氮化硅(nitride)蚀刻：应用于定义主动区；2)复晶硅化物/复晶硅(polycide/poly)蚀刻：应用于定义闸极宽度/长度；3)复晶硅(poly)蚀刻：应用于定义复晶硅电容及负载用之复晶硅；4)间隙壁(spacer)蚀刻：应用于定义ldd宽度；5)接触窗(contact)及引洞(via)蚀刻：应用于定义接触窗及引洞之尺寸大小；6)钨回蚀刻(etchback)：应用于钨栓塞(w-plug)之形成；7)涂布玻璃(sog)回蚀刻：应用于平坦化制程；8)金属蚀刻：应用于定义金属线宽及线长；9)接脚(bondingpad)蚀刻等。
影响干法蚀刻特性好坏的因素包括了：1)干法蚀刻系统的型态；2)干法蚀刻的参数；3)前制程相关参数，如光阻、待蚀刻薄膜之沉积参数条件、待蚀刻薄膜下层薄膜的型态及表面的平整度等。
兴之扬蚀刻电视304不锈钢网小编给大家介绍腐蚀疲劳是什么？
腐蚀疲劳是在腐蚀介质与循环应力的联合作用下产生的。这种由于腐蚀介质而引起的抗腐蚀疲劳性能的降低，称为腐蚀疲劳。疲劳破坏的应力值低于屈服点，在一定的临界循环应力值疲劳---或称疲劳寿命以上时，才会发生疲劳破坏。而腐蚀疲劳却可能在很低的应力条件下就发生破断，因而它是很危险的. 影响材料腐蚀疲劳的因素主要有应力交变速度、介质温度、介质成分、材料尺寸、加工和热处理等。增加载荷循环速度、降低介质的ph值或升高介质的温度，都会使腐蚀疲劳强度下降。材料表面的损伤或较低的粗糙度所产生的应力集中，会使疲劳---下降，从而也会降低疲劳强度。
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