高压快恢复二极管台产芯片-高压快恢复二极管-强元芯电子供应商

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你知道快恢复二极管应该如何检测吗？

常用的检测方法为，高压快恢复二极管，万用表检测法——

用万用表检测快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用r×1k档检测一下其单向导电性，一般正向电阻为45k左右，反向电阻为无穷大；再用r×1档复测一次，一般正向电阻为几ω，反向电阻仍为无穷大。

怎么样你学会了吗？下面是asemi品牌快恢复二极管mur860ac的参数规格书，根据表格你能知道这款型号的具体参数以测试需要对照的数据资料有哪些吗？

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快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在p型、n型硅材料中间增加了基区i，构成p-i-n硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，高压快恢复二极管gpp芯片，不仅---减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受---的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6v，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。