迪一低损耗低漏电流-压直插瓷片电容30KV

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?瓷片电容

瓷片电容

瓷片电容一般是由一层介质和一对电极构成的。其主要优点就是可以耐高压,通常用作安规电容,可以耐250v交流电压。



瓷片电容在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿



同方迪一分享瓷介电容的容量标识的几种方法


一、直接标识:如其电解电容,容量47uf,电容耐压25v。

二、使用单位nf:如上图的涤纶电容,标称4n7,即4.7nf,转换为pf即为4700pf。还有的例如:10n,即0.01uf;33n,即0.03---。后面的63是指电容耐压63v。

三、数学计数法:如瓷介电容,上海直插瓷片电容30kv,标值104,容量就是:10x10000pf=0.1uf.如果标值473,即为47x1000pf=0.047uf。后面的4、3,都表示10的多少次方。又如:332=33x100pf=3300pf。电容的使用,都应该在规定的耐压下工作。现在的好多不高的产品,就因为使用了耐压不足的电容而引起故障常见电容爆裂。





高压瓷片电容烧坏的原因介绍

一:潮湿对电参数恶化的影响。空气中温度过高, 会使高压瓷片电容的表面绝缘电阻下降, 对于半密封结构电容器来说,水分会渗透到电容器的介质内部使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此,高温,高湿环境对瓷片电容的损坏影响较大。

二:银离子的迁移。无机介质电容器多半采用银电极,半密封电容器在高温条件下工作,渗入电容器内部的水分子产生电解。产生氧化反应,银离子与氢氧根离子结合产生氢氧化银。由于电极反应,银离子迁移不仅发生在无机介质表面,还扩散到无机介质内部,压直插瓷片电容30kv,引起漏电流增大,---时会使两个银电极之间完全短路,导致高压瓷片电容损坏或击穿。

三:有的高压瓷片电容,在运用测试操作时,电容器投入时的电流过大,无任何无电压保护措施,也无串联电抗器,使电容器过热,绝缘降低或损坏,如果操作频繁,也会影响陶瓷电容损坏,甚至炸掉。

四:从单颗瓷片电容分析,压直插瓷片电容30kv,电容碰到了---的电流,导致内部材料-,散热不及时,造成热击穿损坏。




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