压控振荡器的类型有lc压控振荡器、rc压控振荡器和晶体压控振荡器。对压控振荡器的技术要求主要有:频率稳定度好，控制灵敏度高，调频范围宽，频偏与控制电压成线---并宜于集成等。晶体压控振荡器的频率稳定度高，但调频范围窄，rc压控振荡器的频率稳定度低而调频范围宽，lc压控振荡器居二者之间。
空间辐射环境中的锁相环在set作用下，将产生频率或相位偏差，甚至导致振荡中止，造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路，也是对set敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型，采用tcad混合模拟的方法，针对180nm体硅cmos工艺下高频锁相环中的压控振荡器，研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器set响应的影响，通过分析失效机理，以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明，当器件工作在截止区时，入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子let的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高，轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。
随着现代通信系统和现代雷达系统的出现，射频电路需要在特定的载波频率点上建立稳定的谐波振荡，电压调压控振荡器价格，以便为调制和混频创造---的条件.设计了一个振荡频率在1.14～1.18 ghz的负阻lc压控振荡器，实现了压控振荡器的宽调频，使频率范围达到40 mhz.并且为避免在外部电路对压控振荡器(vco)的影响，在电路中加入射极跟随器作为buffer，起到阻抗变换和级间隔离的作用.为负阻lc压控振荡器的设计提供了一种参考电路.
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