电压调振荡器价格-晶宇兴()

锁相环电路中压控振荡器的set响应研究

空间辐射环境中的锁相环在set作用下，将产生频率或相位偏差，甚至导致振荡中止，造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路，也是对set敏感的部件之一。本文基于工艺校准的器件模型，采用tcad混合模拟的方法，针对180nm体硅cmos工艺下高频锁相环中的压控振荡器，研究了偏置条件、入射粒子的能量以及温度对压控振荡器set响应的影响，通过分析失效机理，以指导抗辐照压控振荡器的设计。研究结果表明，当器件工作在截止区时，入射粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差小;压控振荡器的输出时钟错误脉冲数随着入射粒子let的增加而线性增加;随着器件工作温度的升高，轰击粒子引起压控振荡器输出时钟的相位差也是增大的。

lc压控型压控振荡器

在任何一种lc振荡器中，将压控可变电抗元件插入振荡回路就可形成lc压控振荡器。早期的压控可变电抗元件是电抗管，后来大都使用变容二极管。图 2是克拉泼型lc压控振荡器的原理电路。图中，t为晶体管，l为回路电感，c1、c2、cv为回路电容，cv为变容二极管反向偏置时呈现出的容量;c1、c2通常比cv大得多。当输入控制电压uc改变时，cv随之变化，因而改变振荡频率。这种压控振荡器的输出频率与输入控制电压之间的关系为vco输出频率与控制电压关系式中c0是零反向偏压时变容二极管的电容量；φ 是变容二极管的结电压；γ 是结电容变化指数。为了得到线性控制特性，可以采取各种补偿措施。