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超纯金属的检测方法---困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级10克/克、毫微克级10克/克、微微克级10克/克杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析，原子吸收光谱分析，荧光分光光度分析，---靶材加工，质谱分析，化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起---影响，称为物理杂质，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。
背靶材料：
无氧铜(ofc)– 目前常使用的作背靶的材料是无氧铜，重庆---靶材，因为无氧铜具有---的导电性和导热性，而且比较容易机械加工。 如果保养适当，---靶材工艺，无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。
钼(mo)– 在某些使用条件比较特殊的情况下，如需要进行高温帖合的条件下，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲， 所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金属钼作为背靶材料。
半导电胶辊通常用在复印机、电子传真装置等办公设备中。半导电胶辊属于半导电元件，且电阻值受环境影响较大，---靶材技术，对产品的导电性要求极其严格，因为打印的全过程是碳粉通过电场的压力来实施，所以轻微的电性误差将导致在打印过程中文字和图片深浅不一的现象。因此需精密的量测，故要求有一套高精密的量测系统来支持，方能达到产品的设计要求。
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