多晶金刚石抛光液多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。主要应用于蓝宝石衬底的研磨、led芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。氧化硅抛光液氧化硅抛光液cmp抛光液是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。
由于铝和铝合金的易加工性能以及其表面经过处理后的高耐腐蚀性能，越来越多的铝合金制品被用于民用和工业用品中。为了提高铝合金制品的装饰性能，需要对其表面进行各种处理，其中化学抛光是一种赋于铝合金表面靓丽的处理工艺。
传统的三酸化学抛光液是由70％磷酸、20％-、10％组成。在这种抛光液中是充当一种缓蚀剂的作用，具有氧化性在使用时与铝进行反应而被还原成棕黄色的二氧-气体，三酸抛光工艺，二氧-对操作人员的-会造成-的伤害，同时二氧-也腐蚀工厂里内的机械设备。另外由于三酸抛光作业一般在100℃左右进行，三明三酸抛光，易挥发和分解，三酸抛光剂，通常的消耗速度过快，需频繁的对其含量进行分析和补加，造成铝合金工件批次间的光泽波动较大，也不利于自动线连续性操作。
金属的化学抛光，常用、磷酸、-、-等酸性溶液抛光铝、铝合金、钥、钥合金，三酸抛光销售，碳钢及不锈钢等。有时还加人明胶或甘油之类。抛光时必须严格控制溶液温度和时间。温室从室温到90℃，时间自数秒到数分钟，要根据材料、溶液成分经实验后才能确定值。半导体材料的化学抛光，如锗和硅等半导体基片在机械研磨平整后，还要终用化学抛光去除表面杂质和变质层。常用和、-混合溶液或和氢氧化铵的水溶液。
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