14工控机及操作系统
用于控制及数据处理，采用定制化系统，封装用igbt测试仪加工，主要技术参数要求如下：
?机箱：4μ 15槽上架式机箱；
?支持atx母板；
?cpμ：intel双核；
?主板：研华simb；
?硬盘：1tb；内存4g；
?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；
?集成vga显示接口、4个pci接口、6个串口、6个μsb接口等。
?西门子plc逻辑控制
15数据采集与处理单元
用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：
?示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求
?电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求
?状态监测：ni数据采集卡
?上位机：基于labview人机界面
?数据提取：测试数据可存储为excel文件及其他用户需要的任何数据格式，封装用igbt测试仪-，---是动态测试波形可存储为数据格式；否则，需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案，直至买方评估合格。所检测数据可传递位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；?数据处理和状态检测部分内容可扩展
3igbt饱和压降/frd正向导通压降测试电路 通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500v连续可调?支撑电容：额定电压2kv?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10v±3%±0.01v?栅极电压输出要求：5～25v±1%±0.01v ?集电极电流测试设备精度： 200～500a±3%±1a；对其测试数据---满意，解决了---功率器件因无法测试给机车在使用带来的工作不稳定、器件易烧坏、易等问题。500～1000a±2%±2a?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路?可调电源：±1ｖ～±40v±2%±0.1v；?小电流测量设备精度：0.01～10μa±2%±0.005μa?栅极电压vge：±1ｖ～40v±1%±0.1v；?脉冲时间：40~100ms可设定
什么是大功率半导体元件？其用途为何？
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(mosfet)、igbt(insulated gate b.transistor)及triac可控硅、scr晶闸管、 gto等各型闸流体与二极管(di ode)等，其工作电流与电压乘积若大于1kw以上，封装用igbt测试仪，均可属于大功率的范围。01ua 集电极电压vce： 0v 栅极电压vge： 0-40v±3%±0。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。
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