便携式IGBT测试仪-华科半导体器件测试仪

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2022-3-24  
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igbt测试装置技术要求1设备功能igbt模块检测装置是用于igbt的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。igbt模块检测装置是用于igbt的静态参数测试,在igbt的检测中,便携式igbt测试仪-,采用大电流脉冲对igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲,采用了支撑电容补偿及步进充电的方法,便携式igbt测试仪批发,解决igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测问题。transistor)及triac可控硅、scr晶闸管、gto等各型闸流体与二极管(diode)等,其工作电流与电压乘积若大于1kw以上,均可属于大功率的范围。


三、华科智源igbt测试仪系统特征:a:测量多种igbt、mos管 b:脉冲电流1200a,电压5kv,便携式igbt测试仪,测试范围广;c:脉冲宽度 50us~300usd:vce测量精度2mve:vce测量范围>10vf:电脑图形显示界面g:智能保护被测量器件h:上位机携带数据库功能i:mos igbt内部二极管压降j : 一次测试igbt全部静态参数k: 生成测试曲线iv曲线直观看到igbt特性,可以做失效分析以及故障定位l:可以进行不同曲线的对比,观测同一批次产品的曲线状态,或者不同厂家同一规格参数的曲线对比;本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时,应按较高标准执行。


9尖峰抑制电容用于防止关断瞬态过程中的igbt器件电压过冲。?电容容量200μf?分布电感小于10nh?脉冲电流2ka ?工作温度室温~40℃?工作湿度<70% 11动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。?反向电压 8000v(2只串联)?-di/dt大于2000a/μs?通态电流 1200a?压降小于1v?浪涌电流大于20ka?反向恢复时间小于2μs?工作温度室温~40℃?工作湿度<70%12安全工作区测试续流二极管?反向电压12kv(3只串联)?-di/dt大于2000a/μs?通态电流1200a?压降小于1v?浪涌电流大于20ka?系统的测试原理符合相应的,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。反向恢复时间小于2μs?工作温度室温~40℃?工作湿度<70%


便携式igbt测试仪-华科半导体器件测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司位于深圳市宝安区西乡街道智汇---中心b座606。在市场经济的浪潮中拼博和发展,目前华科智源在电子测量仪器中享有---的声誉。华科智源取得---商盟,标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。华科智源全体员工愿与各界有识之士共同发展,共创美好未来。型igbt大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,。


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