高纯多晶硅块 4N 6N 9N 11N

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主元素 硅
英文名称 silicon
元素符号 si
原子序数 14
密度 2.33g/cm3
物理性质
熔点 1410℃
沸点 2355℃
比热容 0.71j /(kg·k)
蒸--- 384.22kj/mol
熔化热 50.55kj/mol
导电率 2.52e-12106/cm
应用领域
多晶硅是重要的半导体材料，可以直接制作日光能干电池，也能够作为原料出产单晶硅。90%以上的半导体器件是施用硅材料制成的，也就是用多晶硅为原料出产的单晶硅制成的。高纯多晶硅是重要的电子信息根蒂根基材料，被视为“微电子大厦的基石”。多晶硅的用途很是广泛。
产品目录
高纯多晶硅块 4n 6n 9n 11n
高纯单晶硅块 4n 6n 9n 11n
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