氧化镓靶材GA2O3镓靶材GA磁控溅射靶材

北京京迈研材料科技有限公司为您提供氧化镓靶材ga2o3镓靶材ga磁控溅射靶材。产品介绍
氧化---ga2o3别名是三氧化二---，是一种宽禁带半导体，eg=4.9ev；不溶于水，微溶于热酸或碱溶液，易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸；有α，β两种变体，α型为白色菱形六面体，熔点：1900℃(在600℃时转化为β型)。用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。它是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，被用作于ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作o2化学探测器。
产品参数
中文名 氧化--- 分子式 ga2o3
分子量 187.44 熔点 1740℃
密度 5.88g/ml 纯度 99.99%
产品介绍
---ga是灰蓝色或银白色的金属，熔点很低，沸点---，在大约1500℃时有很低的蒸汽压；纯液态---有---的过冷的趋势，在空气中很稳定。在29.76℃时变为银白色液体。---能浸润玻璃，故不宜使用玻璃容器存放。常温时---在干燥空气中稳定，很容易水解，---与碱反应放出氢气，生成---酸盐；
产品参数
中文名 --- 元素符号 ga 原子量 69.723
熔点 29.8℃ 密度 5.91g/cm3 沸点 2403℃
纯度 99.99%
支持合金靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例重量比或原子比、规格，我们会尽快为您报价！！
服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，---，售后---！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备
控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法gdms或icp光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量---材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。
加工流程：熔炼***提纯***锻造***机加工***检测***包装出库
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