IGBT功率器件动态参数测试仪 华科智源

深圳市华科智源科技有限公司为您提供igbt功率器件动态参数测试仪 华科智源。igbt功率器件动态参数测试仪主机可执行非破坏性的瞬态测量测试，包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管igbt，功率mosfet，二极管，双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和---的软件分析，可执行电阻和电感的开关时间，开关损耗，栅极电荷，trr /的qrr和其他瞬态测试。
igbt功率器件动态参数测试仪概述
测试电压：zui大1200 vdc 200短路电流可达1000a
定时测量：zui低为1 ns
漏电流
- mosfet开关时间测试， max vdd =1.2kv,0.1v steps
- mosfet,diodes qrr/trr反向恢复时间测试，max vdd=1.2kv, 0.1v steps
- qrr range：1nc~100uc，trr range：10ns~2us
- mosfet栅电荷qg测试，max vdd =1.2kv,0.1v steps
- igbt感性开关时间测试，max vdd =1.2kv,0.1v steps，inductors range：0.1mh~159.9mh
- igbt短路耐量测试，max isc=1000a
测试标准：
- mil-std-750 series
itc57300mos管功率器件动态参数测试仪选项
额外的电源供应器
额外的测试头
大包装适配器
itc57300mos管功率器件动态参数测试仪测试头
itc57210 - n-通道和p-通道功率mosfet，mil-std-750方法3472开关时间
itc57220 - trr /电源，mosfet和二极管的qrr，mil-std-750方法，3473
itc57230 - 栅极电荷功率mosfet，mil-std-750方法3471
itc57240 - 电感式开关时间为igbt，mil-std 750方法3477
itc57250 - isc短路耐受时间，mil-std-750方法3479

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