扩散炉,硼扩,磷扩,LPCVD,PECVD

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山东伯芯诚真空设备有限公司为您提供扩散炉,硼扩,磷扩,lpcvd,pecvd。扩散炉应用:应用于集成电路、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池等领域,适用2~8英寸工艺尺寸
扩散炉主要技术指标:
1、扩散炉工艺说明
1.1氧化:干氧工艺,湿氧工艺(去离子水、氢氧合成-内/外点火)
1.2扩散:硼扩、磷扩(液态源、固态源等)
1.3合金、退火等工艺
3、扩散炉控制方式:手动送片/自动送片
5、扩散炉主要技术参数:
5.1扩散炉工作温度:200~1370℃
5.2加热体控制点:3/6点
5.3扩散炉炉体恒温区:450mm-1100mm(可定制)
5.4恒温区精度:>800℃/±0.5℃ ,5.5扩散炉单点温度稳定性:600~1300℃/ ±0.5℃/24h
5.6可控升温速度:15℃/min
5.7扩散炉降温速度:5℃/min(900~1300℃)
5.8供电:三相四线,380vac/50hz
扩散炉结构尺寸:水平扩散炉/垂直扩散炉
扩散炉应用:应用于集成电路、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池等领域,适用2~8英寸工艺尺寸
扩散炉主要技术指标:
1、扩散炉工艺说明
1.1氧化:干氧工艺,湿氧工艺(去离子水、氢氧合成-内/外点火)
1.2扩散:硼扩、磷扩(液态源、固态源等)
1.3合金、退火等工艺
3、扩散炉控制方式:手动送片/自动送片
5、扩散炉主要技术参数:
5.1扩散炉工作温度:200~1370℃
5.2加热体控制点:3/6点
5.3扩散炉炉体恒温区:450mm-1100mm(可定制)
5.4恒温区精度:>800℃/±0.5℃ ,5.5扩散炉单点温度稳定性:600~1300℃/ ±0.5℃/24h
5.6可控升温速度:15℃/min
5.7扩散炉降温速度:5℃/min(900~1300℃)
5.8供电:三相四线,380vac/50hz
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