导电N型6英寸碳化硅晶锭供应商

苏州恒迈瑞材料科技有限公司为您提供导电n型6英寸碳化硅晶锭供应商。
第三代半导体碳化硅晶锭厂家苏州恒迈瑞为客户提供6英寸碳化硅晶锭晶体，根据电阻率不同可分为导电n型碳化硅晶锭电阻率0.015-0.028ω.cm及半绝缘碳化硅晶体电阻率＞1e8ω.cm.单个sic晶锭厚度约20mm左右，生产交货期30天内，长期稳定发货，欢迎有测试需求的客户与我们联系获取价格。

sic晶锭的切割是sic衬底生产过程中的步骤，它对衬底的表面、尺寸和成本控制具有作用。切割工艺不仅决定了sic衬底的表面粗糙度ra、总厚度偏差ttv、翘曲度bow和弯曲度warp等参数，而且对衬底的品质、成品率和生产成本有着影响。此外，切割还直接影响到后续的研磨、抛光工序的效率和成本。



砂浆线切割：这是一种传统的切割技术，通过使用含有磨料的线和砂浆来切割sic晶锭。尽管这种方法成本较低，但其切割速度较慢，且可能在衬底表面留下较深的损伤层。

金刚线切割：金刚线切割技术使用金刚石颗粒作为磨料，通过高速旋转的线来切割sic晶锭。这种方法的切割速度快，表面损伤层较浅，有助于提高衬底的和成品率。

激光剥离技术：这是一种新兴的切割技术，通过激光束的热效应来分离sic晶锭。

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