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干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是：各向-好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程如屏蔽式，下游式，桶式，纯物理过程如离子铣，物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀rie，离子束辅助自由基刻蚀icp等。干法刻蚀方式很多，一般有：溅射与离子束铣蚀， 等离子刻蚀plasma etching，高压等离子刻蚀，高密度等离子体hdp刻蚀，反应离子刻蚀rie。另外，化学机械抛光cmp，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。
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离子束刻蚀是利用离子束直接轰击工件，将工件上的材料溅射出来，实现材料去除的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程，在各种常规刻蚀方法中具有分辨率较高、陡直性较好的特点。应用于在基板表面抛光或材料的去除，尤其适用于金属材料薄膜的刻蚀，如cu、au、pt、ti、ni、nicr等。
离子源的主要参数有：离子束流强。即能够获得的有用离子束的等效电流强度，用电流单位a或ma表示。有用离子百分比。即有用离子束占总离子束的百分比。一般来说，离子源给出的总离子束包括单电荷离子、多电荷离子、各种分子离子和杂质元素离子等的离子束。能散度。由于离子的热运动和引出地点的不同，使得离子源给出的离子束的能量对要求的单一能量有一定离散，一般希望能散度尽量小，在-的离子束应用中尤其是这样。束的-性能。以离子束的截面和张角表示。-不好的离子束在传输过程中会使离子大量丢失。获得--特性的离子束的终障碍是束中离子之间的静电排斥力，为了克服这一障碍，应尽早使离子获得较高能量。离子源的效率。以离子束形式引出的工作物质占总消耗的工作物质的比例。工作寿命。离子源一次安装以后使用的时间。
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