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镀膜工艺流程中工艺参数的控制和对膜层沉积的影响

靶基距：靶基距是影响成膜速率的重要因素之一，随着靶基距增加，被溅射材料射向基片时与气体分子碰撞的次数增多，同时等离子体密度也减弱，动能减少，沉积速率降低，但膜层外观较好。靶基距太小，沉积太快，工件温升大，膜层外观差。

靶功率；真空镀膜技术优点主要表现在以下几个方面：5、---表面硬度，原塑胶表面比金属软而易受损害，通过真空镀膜技术，硬度及耐磨性---增加。磁控溅射本身粒子初始动能比较小，离化率低，电源功率越大，溅射出的粒子的初始能量越大，靶材溅射量也越大，沉积速率越快，膜层容易上厚度和硬度，同时工件温升也大，过高的功率会使沉积速率太快，粒子来不及表面迁移和扩散，易形成阴影效应，膜层会比较疏松，应力较大。

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真空镀膜技术优点主要表现在以下几个方面：

   1、使塑料表面有导电性；

   2、容易清洗，不吸尘。

   3、---美观，表面光滑，金属光泽彩色化，装饰性---提高；

   4、减少吸水率，镀膜次数愈多，---愈少，吸水率降低，制品不易变形，提高耐热性。

真空镀膜：一种产生薄膜材料的技术。在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。此项技术用于生产激光唱片光盘上的铝镀膜和由掩膜在印刷电路板上镀金属膜。

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