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pedot成膜方法

目前pedot成膜方法主要有物理涂覆法、电化学聚---和原位聚---：

物理涂敷法

物理涂覆法是将pedot分散液，通过刮涂、滴涂、旋涂等方式，涂覆在基材表面，经干燥后形成pedot薄膜。危险说明危险代码：xi危险等级：r36/38安全等级：s26-36/37/39。通常情况下，需要利用水溶性较好的pss作为络合离子与pedot形成pedot:pss聚合物，使不溶于水的pedot可以获得较好的水溶性以及成膜性。

物理涂覆法操作简单，直接使用市售的pedot溶液或对其进行一定的掺杂改性后即可涂膜。4)分散液的甩膜：将样品分散液和经过清洗除残处理后的玻璃基片，通过匀胶机处理，得到均匀覆盖样品分散液的玻璃基片。其缺点主要是由于pedot本身不溶不熔的性质而不能单独成膜，要加入pss形成分散液后方能采用物理涂覆法。此外物理法制得的膜厚度较大，厚度j确度较低。但是其方便地添加粒子、更换电解液等，是适用于-工业化的一种成膜方法。

传统的硅太阳能由于制备流程复杂、硬件设备投资高，使得电池成本高，---了更-的应用。关于掺杂后导电聚合物的导电机理，目前比较成熟的观点可用下图(二)加以简要说明。因此，开发新型低成本太阳能电池具有重要的实际应用价值。选用制备工艺简单的新型电荷选择性材料pedot:pss聚(3,4-亚乙二---s吩)-聚b乙烯磺酸与晶硅基片形成非掺杂的异质结太阳能电池，可以避免掺杂所需要的高温工艺，有望获得低成本的硅基异质结太阳能电池。

但是这类异质结电池存在pedot:pss材料本身空穴迁移率低，pedot:pss/硅接触面性能差，以及硅/金属电极接触电阻---问题，---了电池转换效率的提高。作者通过系统的分析对比阐明了电池性能提升的本质可归因于两方面:nacl的掺杂导致了pedot和pss的相分离，从而提高了电导率和空穴提取能力。针对这一些列问题，兰州大学物理科学与技术学院彭尚龙教授团队采用pedot:pss材料改性、光吸收---、硅纳米陷光结构的构筑、硅表面钝化和硅/金属界面接触电阻降低等策略，实现电池转换效率提升和成本降低，取得了一系列研究成果。

单体3，4-乙撑二氧---吩(edot)的合成情况

j、d、stenger-smith et．all于1998年采用下述方法合成了edot。在此研究基础上，在自抑制效果下实现了高膜厚无气孔pedot:dbsa-te---点复合薄膜的同步生成。反应从l代二甘酸(hooch –s-ch cooh)开始，通过一系列的步骤合成2，5-二羧酸-3、4-乙撑二氧---吩，然后通过催化剂脱羧而制成了3、4-乙撑二氧---吩

该合成法产率低，成本高。改进或找到一种新的合成方法以提高edot的产率、降低生产成本是当前科研---的主要任务。笔者在合成edot的过程中对该方法进行了一些改进，如引入相转移催化剂和沸石分子筛，提高了edot的产率。

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