光电探测器相关信息
红外波段的光电导探测器 pbs、hg1-xcdxte 的常用响应波段在 1～3微米、3～5微米、8～14微米三个---透过窗口。由于它们的禁带宽度很窄，因此在室温下，热激发---使导带中有大量的自由载流子，这就---降低了对辐射的灵敏度。响应波长越长的光，电导体这种情况越---，其中1～3微米波段的探测器可以在室温工作灵敏度略有下降。3～5微米波段的探测器分三种情况：在室温下工作，但灵敏度---下降，探测度一般只有1～7×108厘米·瓦-1·赫；热电致冷温度下工作(约-60℃),探测度约为109厘米·瓦-1·赫；77k或---温度下工作,探测度可达1010厘米·瓦-1·赫以上。8～14微米波段的探测器必须在低温下工作，因此光电导体要保持在真空杜瓦瓶中，冷却方式有灌注液氮和用微型制冷器两种。
光电探测器工作原理
光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即eg
当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收---。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多，如图 画出了几种常用半导体材料(如 gaas、inp、inas、si、ge、gap 等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透---的关系。
光电探测器安装注意事项
1、探测器至墙壁、梁边的水平距离，不应小于5米；探测器周围水平距离0.5米内，不应有遮挡物。
2、探测器至空调送风口近边的水平距离，不应小于5米；至多孔送风顶栅孔口的水平距离，不应小于0.5米。
3、不应在烟雾，水蒸汽浓度高的场合安装探测器。
4、探测器宜水平安装，当确实需倾斜安装时，倾斜角不应大于45度。
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