辽宁-离子束刻蚀机厂家择优“本信息长期有效”
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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离: 气体由等离子体分离为可化学反应的元素; 扩散: 这些元素扩散并吸附到硅片表面; 表面扩散:到达表面后, 四处移动; 反应: 与硅片表面的膜发生反应; 解吸: 反应的生成物解吸, 离开硅片表面; 排放: 排放出反应腔。
在反应离子刻蚀中,气体放电产生的等离子体中有大量化学活性的气体离子,这些离子与材料表-互作用导致表面原子产生化学反应,生成可挥发产物。这些挥发产物随真空抽气系统被排走。随着材料表层的“反应-剥离-排放”的周期循环,材料被逐层刻蚀到特定-。除了表面化学反应外,带能量的离子轰击材料表面也会使表面原子溅射,产生一定的刻蚀作用。所以,反应离子刻蚀包括物理和化学刻蚀两者的结合。
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离子刻蚀是利用高能量惰性气体离子轰击被刻蚀物体的表面,达到溅射刻蚀的作用。因为采用这种方法,所以可以得到非常小的特征尺寸和垂直的侧壁形貌。这是一种“通用”的刻蚀方式,可以在任何材料上形成图形。它的弱点是刻蚀速度较低,选择性比较差。传导耦合性等离子体刻蚀的优势在于刻蚀速率高、-的物理形貌和通过对反应气体的选择,达到针对光刻胶和衬底的高选择比。一般用于对特征形貌没有要求的去胶(ashing,灰化)工艺。反应离子刻蚀是上述两种刻蚀方法相结合的产物,它是利用有化学反应性气体产生具有化学活性的基团和离子。经过电场加速的高能离子轰击被刻蚀材料,使表面受损,提高被刻蚀材料表面活性,加速与活性刻蚀反应基团的反应速度,从而获得较高的刻蚀速度。这种化学和物理反应的相互促进,使得反应离子刻蚀具有上述两种干法刻蚀所没有的-性:-的形貌控制能力(各向-)、较高的选择比、可以接受的刻蚀速率。因此在于法刻蚀工艺中反应性离子刻蚀得到广泛应用。
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