干光刻胶供应商-

光刻胶的应用

光刻胶的应用

       1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——semi标准。下游发展趋势光刻胶的和性能是影响集成电路性能、成品率及-性的关键因素。1978年，德国的伊默克公司也制定了mos标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别ic的制作要求。其中，semi标准更早取得范围内的-。

光刻胶介绍

光刻胶介绍

光刻胶是一种对光线、温度、湿度十分敏感的材料，可以在光照后发生化学性质的改变，这是整个工艺的基础。

光刻胶有不同的类型，pmmapmgi以及dnq酚醛树脂等材料都可以做光刻胶。

 目前光刻胶市场上的参与者多是来自于美国、日本、韩国等，包括 futurrex、陶氏化学、杜邦、富士胶片、信越化学、住友化学、lg化学等等，中国公司在光刻胶领域也缺少-。

 

光刻的工序

下面我们来详细介绍一下光刻的工序：

一、清洗硅片wafer clean

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性

基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。

自1970年美国rca实验室提出的浸泡式rca化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年rca实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以rca清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国fsi公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原cfm公司推出的full-flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国verteq公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术例goldfinger mach2清洗系统、美国ssec公司的双面檫洗技术例m3304 dss清洗系统、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术用电介超纯离子水清洗使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以hf / o3为基础的硅片化学清洗技术。a有一种胶很适合，美国futurrex生产的nr1-3000pyand和nr1-6000py,都适合在oled制程中做spacers。

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