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非晶硅片

非晶硅片 

非晶硅太阳电池是1976年有出-的新式塑料薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳光电池的制作方式-不一样，硅材料耗费非常少，热耗-，十分吸引住人。生产制造非晶硅太阳电池的方式有多种多样，普遍的是辉光放电法，也有反应溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法和分解反应---法等。辉光放电法是将一方解石器皿---真空，用射频电源加温，使---电离，产生等离子技术。非晶硅膜就堆积在被加温的衬底上。若---中掺人适当的氢化磷或氢化硼，就能获得n型或p型的非晶硅膜。衬底原材料通常用夹层玻璃或不锈钢板材。这类制取非晶硅塑料薄膜的加工工艺，关键在于严控标准气压、水流量和频射输出功率，对衬底的溫度也很关键。非晶硅太阳电池的构造有各种各样不一样，在其中有种-的构造叫pin充电电池，这是在衬底上先堆积一层层掺磷的n型非晶硅，再堆积一层层未夹杂的i层，随后再堆积一层层掺硼的p型非晶硅，终用电子束蒸发一层层减反射膜，并蒸镀镍/镀银电级。此类加工工艺，能够选用一个一个堆积室，在生产制造中组成持续程序流程，以保持批量生产。一起，非晶硅太阳电池太薄，能够做成层叠式，或选用集成电路芯片的方式生产制造，在1个平面图上，用适度的掩模加工工艺，一回制做好几个串连充电电池，以得到较高的工作电压。由于一般结晶硅太阳电池单独只能0.5伏上下的工作电压，如本国生产制造的非晶硅串连太阳电池达到2.4伏。现阶段非晶硅太阳电池存在的不足是光学变换率稍低，好的水准为10%上下，且不足平稳，经常出现变换率衰降的状况，因此并未很多用以作大中型太阳能发电开关电源，而大多数用以暗光开关电源，如袖珍式电子计算器、电子器件时钟及打印机等层面。

电池片各工序影响因素及异常情况

电池片各工艺流程危害要素及异常现象 

4.naoh产生金字塔式绒面。naoh浓度值越高，金字塔式容积越小，反映前期，金字塔式成核相对密度类似没受naoh浓度值危害，碱水溶液的腐蚀随naoh浓度值转变比较-，浓度值高的naoh水溶液与硅体现的速率加速，再反映过段时间后，金字塔式容积。naoh浓度值超出必须界线时，各向---系数缩小，绒面会愈来愈差，类似打磨抛光。可控性水平：与ipa相近，线性度不高。 

5.na2sio3si和naoh反映生产制造的na2sio3和添加的na2sio3能具有缓冲剂的功效，使反映不会很-,变的轻缓。na2sio3使反映拥有大量的起始点，生长发育出的金字塔式更匀称，更小一点儿na2sio3多的那时候要立即的排出去，na2sio3传热性差，会危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平：没办法---。4酸洗钝化hcl除去硅片表层的金属材料残渣---具备酸和络合剂的双向功效，---盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化hf除去硅片表层空气氧化层，sio26hf=h2[sif6]2h2o。 

基准点1．减薄量界定：硅片制绒前后左右的前后左右净重差。---范畴多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首篮减薄量在0.7±0.2g；之后减薄量在0.6±0.2g。2．绒面分辨规范：成核相对密度高，尺寸适度，匀称。

---范畴：多晶硅：金字塔式规格3~10um。3．外型无豁口，黑斑，裂痕，激光切割线，刮痕，凹痕，有没有白斑病，赃污。

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