汕头MBE分子束外延报价服务放心-,沈阳鹏程有限公司
设备组成:
沉积室 1套
该室主要是分子束外延沉积:---真空度: 2x10-8pa;真空室检漏漏率:小于5x10-8 pa.l/s;短时间暴露---并充干燥氮气抽至:1.0x10-5pa,小于40分钟;
进样室 1套
---真空: 6.6×10-5pa;真空检漏漏率:10-7pa.l/s短时间暴露---并充干燥氮气抽至:5.0x10-4pa,小于40分钟
样品库 1套
一次可以放进四块样品,样品为玻璃,尺寸为50×50×3mm。
探头规夹持、移动驱动机构 1套
移动距离120mm,焊接波纹管实现动密封,手动操作。
束流测量组件: 1套
用以测量各个束源的束流值。其工作模式为:需要测量束源炉束流时,将探头移到样品的正下方,完成测量后,探头后退,让出蒸发通道。计算机控制系统 镀膜过程采用计算机控制,由计算机、软件、硬件接口液晶显示器等组成。
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分子束外延可能的应用领域由:在高温超导薄膜和器件的研究和应用方面将由于l-mbe能够人工控制原子层的有秩序堆积,可以外延生长发挥重要作用,出含有几个原子层组成绝缘层(i)的ybco/i/ybco夹心结构,具备研制三层夹心型超导隧道结的条件; 外延生长含有低熔点、易挥发的多元化合物半导体薄膜,在准确调整化合物成分比以便调节隙宽度方---有优势;人工合成具有特殊层状晶体结构的新型材料,探索新型高温超导体或具有特殊性质的新材料;激光分子束外延在研究和发展多元金属间化合物、亚稳态材料方面也可能有应用的前景。
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分子束外延(mbe)是上个世纪90年---展起来的一种新型高精密制膜技术,它集pld的制膜特点和传统mbe的真空准确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体,除保持了pld方法制备的膜系宽,还可以生长通常的半导体超晶格材料,---适合生长多元素、高熔点、复杂层状结构的薄膜,如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体以及有机高分子等,同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。
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