天津氧-晶体供应商来电咨询「多图」

氧-mgo是镁的氧化物，一种离子化合物。常温下为一种白色固体。氧-以方镁石形式存在于自然界中，是冶镁的原料。氧-有高度耐火绝缘性能，经1000℃以上高温灼烧可转变为晶体。主要性能参数 生长方法：弧熔法；晶体结构：立方；晶格常数：a=4.130 a；熔点℃：2800；纯度：99.95%；密度g/cm3：3.58；硬度：5.5mohs；热膨胀系数/℃：11.2x10-6；晶体解理面：<100>;；光学透过：>;90%200~400nm，>;98%500~1000nm；介电常数：ε= 9.65；热导率卡／度 厘米 秒：0.14  300°k。

氧-(mgo)单晶的熔点-2800℃,是无残留气孔的高致密性材料。因其光透过率、折射率、热导率、电绝缘性、化学稳定性、机械强度等方面-异。氧-mgo单晶基片广泛应用在多个薄膜技术领域中。用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。

 随着科学技术的不断进步，尤其是光电产业和无线通讯的发展，氧-(mgo)单晶的需要量越来越大，发展前景非常广阔。在各领域应用中，氧-(mgo)单晶的尺寸一般要求在5 x 5 x 5mm-100 x 100 x ioomm之间，甚至。氧-的熔点在2800°c以上，沸点为3600°c，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧-单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。在高温超导领域，氧-(mgo)晶体作为薄膜生长基片和半导体材料的衬底驻基片同其它材料相比(如金刚石、白蓝宝石等)具有明显的-，且性能-。

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