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mbe分子束外延的来源

分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着真空技术的发展而日趋完善，由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超晶格器件，扩展了半导体科学的新领域，进一步说明了半导体材料的发展对半导体物理和半导体器件的影响。分子束外延的优点就是能够制备超薄层的半导体材料；外延材料表面形貌好，而且面积较大均匀性较好；可以制成不同掺杂剂或不同成份的多层结构；外延生长的温度较低，有利于提高外延层的纯度和完整性；利用各种元素的粘附系数的差别，可制成化学配比较好的化合物半导体薄膜。

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mbe真空淀积介绍

从硒整流器诞生以来，真空淀积已广泛应用于半导体薄膜器件的制备上。从40年代起，蒸发铅和锡的---物薄膜被广泛研究，直到1964年以前还没有实现-的外延。1964年schoolar和zemel用泻流盒产生的分子束在nacl上外延生长出pbs薄膜。这也许是现代mbe技术的前奏。直到70年代初期真空设备商品化以后，mbe才得到广泛应用。

mbe基本上是真空淀积的一种复杂变种，其复杂程度取决于各个研究工作想要达到的目标。因为是真空淀积，mbe的生长主要由分子束和晶体表面的反应动力学所控制，它同液相外延lpe和化学汽相淀积cvd等其他技术不同，后两者是在接近于热力学平衡条件下进行的。而mbe是在真空环境中进行的，如果配备必需的仪器，就能用许多测试技术对外延生长作在位或原位评估。

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