安徽大功率IGBT测试仪加工厂家-

测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。 功率模块的vce-ic特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行-管理，可有效保障机车中间直流环节-运行。 igbt模块vce-ic特线单管，vcesat随电流变大而增大。

测试参数： ices 集电极-发射极漏电流 igesf 正向栅极漏电流 igesr 反向栅极漏电流 bvces 集电极-发射极击穿电压 vgeth 栅极-发射极阈值电压 vcesat 集电极-发射极饱和电压 icon 通态电极电流 vgeon 通态栅极电压 vf 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。

如何检测元件有老化的现象？ 半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给---在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。 何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会-烧毁或造成性的损坏。

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