led灯
红外发光二极管的检测
红外发光二极管的检测
由于红外发光二极管，它发射1~3μm的红外光，人眼看不到。通常单只红外发光二极管发射功率只有数mw,不同型号的红外led发光强度角分布也不相同。红外led的正向压降一般为1.3~2.5v.正是由于其发射的红外光人眼看不见，所以利用上述可见光led的检测法只能判定其pn结正、反向电学特性是否正常，而无法判定其发光情况正常否。为此，准备一只光敏器件如2cr、2dr型硅光电池。用万用表测光电池两端电压的变化情况。来判断红外led加上适当正向电流后是否发射红外光。
普通发光二极管的检测
1用万用表检测。利用具有×10kω挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。正常时，二极管正向电阻阻值为几十至200kω，反向电阻的值为∝。如果正向电阻值为0或为∞，反向电阻值很小或为0,则易损坏。这种检测方法，不能实地看到发光管的发光情况，因为×10kω挡不能向led提供较大正向电流。
如果有两块指针万用表同型号可以较好地检查发光二极管的发光情况。用一根导线将其中一块万用表的+接线柱与另一块表的-接线柱连接。余下的-笔接被测发光管的正极p区，余下的+笔接被测发光管的负极n区。两块万用表均置×10ω挡。正常情况下，接通后就能正常发光。若亮度很低，甚至不发光，可将两块万用表均拨至×1ω若，若仍很暗，甚至不发光，则说明该发光二极管性能-或损坏。应注意，不能一开始测量就将两块万用表置于×1ω，以免电流过大，损坏发光二极管。
2外接电源测量。用3v稳压源或两节串联的干电池及万用表指针式或数字式皆可可以较准确测量发光二极管的光、电特性。为此可按图10所示连接电路即可。如果测得vf在1.4~3v之间，且发光亮度正常，可以说明发光正常。如果测得vf=0或vf≈3v,且不发光，说明发光管已坏。
led
led发光原理
发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas、gapgaasp等半导体制成的，其-是pn结。因此它具有一般p-n结的i-n特性，即正向导通，反向?截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由n区注入p区，空穴由p区注入n区。进入对方区域的少数载流子少子一部分与多数载流子多子复合而发光。
假设发光是在p区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心这个中心介于导带、介带中间附近捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光-效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近pn结面数μm以内产生。
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度ｅg有关，即λ≈1240/egmm式中eg的单位为电子伏特ev。若能产生可见光波长在380nm紫光～780nm红光，半导体材料的eg应在3.26～1.63ev之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格-，使用不普遍。
led
一、温度过高会对led造成破坏
(1)led工作温度超过芯片的承载温度将会使led的发光效率快速降低，产生明显的光衰，并造成损坏;
(2) led多以透明环氧树脂封装，若结温超过固相转变温度(通常为125℃)，封装材料会向橡胶状转变并且热膨胀系数骤升，从而导致led开路和失效。
二、温度升高会缩短led的寿命
led的寿命表现为它的光衰，也就是时间长了，亮度就越来越低，直到-熄灭。通常定义led光通量衰减30%的时间为其寿命。
造成led光衰的原因通常有以下几方面：
(1)led芯片材料内存在的缺陷在较高温度时会快速增殖、繁衍，直至侵入发光区，形成大量的非辐射复合中心，-降低led的发光效率。
2) 高温时透明环氧树脂会变性、发黄，影响其透光性能，工作温度越高这种过程将进行得越快，这是led光衰的又一个主要原因。
(3) 荧光粉的光衰也是影响led光衰的一个主要原因，因为荧光粉在高温下的衰减十分-。??所以，高温是造成led光衰，缩短led寿命的主要根源
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