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什么是大功率半导体元件？其用途为何？

凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(mosfet)、igbt(insulated gate b.transistor)及triac可控硅、scr晶闸管、 gto等各型闸流体与二极管(di ode)等，其工作电流与电压乘积若大于1kw以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。

目的和用途 该设备用于功率半导体模块igbt、frd、肖特基二极管等的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。 1.2 测试对象 igbt、frd、肖特基二极管等功率半导体模块 2.测试参数及指标 2.1开关时间测试单元技术条件 开通时间测试参数： 1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns 2、开通---时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns 4、开通能量： 0.2～1mj±5%±0.01mj 1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj 100～500mj±5%±2mj 5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000a/us 6、开通峰值功率pon：10w～250kw

6短路保护放电回路 紧急情况下快速放电，---紧急情况时快速使设备处于安全电位。 ?回路耐压 dc10kv ?放电电流 10ka5ms ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 7正常放电回路 用于设备正常关机时放电，使设备处于安全电位。 ?回路耐压 10kv ?放电电流 50a ?工作温度 室温～40℃； ?工作湿度 <70% 8高压大功率开关 ?电流能力 2000a ?隔离耐压 10kv ?响应时间 150ms ?脉冲电流 20ka不小于10ms ?工作方式 气动控制 ?工作气压 0.4mpa ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%

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